Assalamu'allikum Wr.Wb.
Pada kesempatan ini saya akan memposting ketiga kalinya suatu ilmu tentang DIAC, TRIAC dan UJT, Langsung Simak.
DIAC
Kecuali SCR, masih
banyak kompenen-kompenen elektronika yang lainnya yang termasuk dalam keluarga
Thyristor. Diantaranya yang paling banyak digunakan adalah DIAC, TRIAC, dan
QUADRAC. Komponen-kompenen tersebut bekerja atas dasar prinsip kerja dioda 4
lapis dan SCR. Susunan fisis DIAC merupakan dua buah dioda 4 lapis yang
digabung secara paralel terbalik.
DIAC adalah piranti elektronik yang termasuk
jenis dari bi-directional thyristor disebut juga sebagai trigger dioda. Rangkaian
ekuivalen dari DIAC dapat digambarkan seperti gambar 1a. Dan juga dapat dianggap sebagai susunan dua buah
lacth seperti terlihat pada gambar 1b.
DIAC tidak
mempunyai polaritas atau dianggap sebagai homopolar atau juga non-polar
sehingga dalam penggunaannya sangat mudah. Untuk mengetahui prinsip kerja DIAC
maka kita anggap DIAC tersebut diberi catu daya dengan polaritas seperti yang
terlihat pada gambar 1.1a. Bila tegangan yang diberikab pada DIAC menyamai atau
melewati tegangan Break Over-nya maka lacth sebelah kiri akan menutup dan arus
akan mengalir demikian jika sebaliknya, maka latch yang sebelah kanan akan
menutup. Untuk membuka kembali latch tersebut adalah dengan cara mengurangi
arus latch sehingga dibawah ini nilai holding currentnya (Ih).
Simbol Diac adalah seperti terlihat pada gambar
1.1c.TRIAC
Efek arus gate pada tegangan Braek Over sebuah TRIAC adalah sama seperti pada SCR. Pada umumnya rangkaian pengontrol dengan TRIAC lebih ekonomis dan menguntungkan untuk pengaturan daya arus bolak-balik. Dengan mengatur arus gate, maka daya AC pada beban dapat diatur besar kecilnya dan karena tegangan sumber AC tidak perlu disearahkan terlebih dahulu, maka rangkainnya jauh lebih sederhana dibandingkan dengan SCR.
Simbol
dan Konsrtuksi dari UJT
UJT disimbolkan sebagai gambar 2.1a. dan
konsrtuksinya diperlihatkan pada gambar 2.1b. dimana sebatang bahan
semikonduktor silicon di-dop ringan dengan unsur dari golongan 5 sehingga
menjadi tipe N. Ujung batang ini menjadi B1 dan B2 dengan
nilai resistansi antara B1 dan B2 cukup besar kira-kira
10KΩ. Kira-kira ditengah-tengah batang B1 dan B2
diberikan dope agak berat dari unsur golongan 3 sehingga terbentuk tipe P yang
berfungsi sebagai emitter (E). Rangkian ekuivalen dari UJT yang sederhana dapat
dilihat pada gambar 2.1c. Antara emitter ke persambungan (junction) basis
tampak sebagai sebuah PN dioda. Tahanan antara basis RBB dari batang
silicon tipe N, merupakan dua buah resistor RB1 dan RB2. Jika
ada arus yang mengalir dari emitter ke basis 1 dan UJT akan “ON” dimana RB1
nilainya kan turun secara tajam.Nilai tahanan RB1 akan berubah-ubah tergantung dari besarnya arus emitter yang mengalir.
Sekian Terima Kasih, Tunggu Post Selanjutnya Gaes.
Wassalamu'allaikum Wr. Wb.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar